Публикации участников конференции

Англо-русскоязычный научный химический журнал
"БУТЛЕРОВСКИЕ СООБЩЕНИЯ"
Русский | English

Сведения о статье:

Поздин А. В., Овсюкова Т. Д., Клевакина А. С., Марков В. Ф. , Маскаева Л. Н. Термодинамическая оценка возможности химического осаждения пленок PbS, легированных галлием

Данные о статье:
Название статьи:	Термодинамическая оценка возможности химического осаждения пленок PbS, легированных галлием
Все авторы публикации в порядке следования:	Поздин А. В., Овсюкова Т. Д., Клевакина А. С., Марков В. Ф. , Маскаева Л. Н.
Аннотация:	Узкозонный полупроводник со структурой каменной соли PbS продолжает вызывать значительный научный интерес благодаря неограниченному потенциальному применению в качестве инфракрасных фоторезисторов, фотодиододов, лазеров, тензодатчиков, приборов экологического контроля. Однако глобальное стремление к более эффективному управлению энергопотреблением привлекло внимание к потенциальному термоэлектрическому применению этого материала. Известным приемом, обеспечивающим получение требуемых функциональных свойств, в частности термоэлектрических, является легирование пленок сульфида свинца, как катионами, так и анионами. Исследователями обсуждается несколько значительных разработок термоэлектрических материалов на основе PbS путем легирования переходными элементами IIIA группы. Редкое сочетание большой эффективной массы и низкого деформационного потенциала в легированном галлием сульфиде свинца способствует высокому значению термоэлектрической эффективности. Большинство исследователей отдают предпочтение получению и легированию PbS галлием путем термического сплавления. Однако низкотемпературное химическое осаждение тонких пленок PbS(Ga) из водных растворов обладает существенными преимуществами: простотой, дешевизной и возможностью его внедрения в промышленное производство. В настоящей работе проведенный предварительный анализ ионных равновесий в реакционной системе «Pb(СН3СОО)2 – Ga2(SO4)3 – Na3C6H5O7 – NH4OH – N2H4CS» позволил установить концентрационные области совместного образования твердых фаз PbS и Ga3S2. На основе выбранной рецептуры впервые химическим осаждением при температуре 353 K в течение 180 минут на стеклянных подложках получены однородные пленки PbS(Ga) толщиной до ~ 610 нм. Энерго-дисперсионным анализом установлен избыток ионов свинца по сравнению с серой при содержании в них галлия до 0.44 ат.%, что согласуется с n-типом проводимости исследованных пленок.
ROI:	jbc-01/23-73-1-29
DOI:	10.37952/jbc-01/23-73-1-29
Ключевые слова:	ионные равновесия, химическое осаждение, тонкие пленки, сульфид свинца, легирование, галлий
Общий форум статьи:	Смотреть форум
Шапка статьи в pdf:	Скачать [размер файла: 260кб.] Дата: 24.03.2023 12:22:24
Комментарий: