В 1967 году окончил Ленинградский госуниверситет, а затем в 1972 году – аспирантуру. Докторскую диссертацию на тему «Исследование статистических процессов в металлах и полупроводниках при полевой электронной эмиссии» защитил в 1990 году в Уральском политехническом институте. На сегодняшний момент автор более 260 научных работ, включая 2 монографии и 26 патентов.
Область научных интересов:
Полевая эмиссионная и вакуумная электроника; эмиссионные методы исследования поверхности твердого тела; физика поверхности твердого тела; сканирующая зондовая микроскопия; флуктуационная спектроскопия полупроводниковых полевых эмиттеров; физика тонких пленок и микроэлектронные технологии; наноэлектроника; а также функциональные молекулярные наноструктуры.
Педагогическая деятельность:
С 1972 работает в БГУ (с 1980 заведующий каф. физической электроники и нанофизики).
Выборочные научные публикации:
Бахтизин Р.З. Анализ проблем статистических оценок в стохастических источниках дискретных электронных потоков / С.С. Гоц, Р.З. Бахтизин // Известия высших учебных заведений. Радиофизика. - 2009. - Т.
52. № 3. - С. 250-259.
2. Бахтизин Р.З. Реологические и микроструктурные особенности
фазовых переходов в композиционных полимерных материалах на основе гудрона и полиэтилена / М.Ю. Доломатов, С.В. Дезорцев, Р.З. Бахтизин, Б.Р. Харисов, И.Р. Нигматуллина // Инженерно-физический журнал. - 2014. - Т. 87. - № 2. - С. 284-289.
3. Бахтизин Р.З. Сканирующая туннельная микроскопия молекул
фторированных фуллеренов на поверхности кремния / Р.З. Бахтизин, А.И. Орешкин, В.Н. Манцевич, С.И. Орешкин, С.В. Савинов // Известия
Российской академии наук. - Серия физическая. - 2014. - Т. 78. № 1. - С. 54.
...
4. Бахтизин Р.З. Спектроскопия исследование адсорбции C 60 F 36 молекул на 7 × 7-SI (111) / Орешкин А.И., Манцевич В.Н., Орешкин С.И., Савинов С.В., Панов В.И. // Журнал экспериментальной и
теоретической физики Письма ( Письма в ЖЭТФ). - 2012. - Т. 95. № 12. -С. 666-669.
5. Bakhtizin R.Z. Determination of activation energies using field emission
fluctuations from semiconductors / Ghots S.S., Bakhtizin R.Z. // Surface Science. -1991. - Т. 246. - № 1-3. - С. 60-63.
6. Bakhtizin R.Z. Oxygen adsorption on the atomically clean surface of
germanium field emitter / Mileshkina N.V., Bakhtizin R.Z. // Surface Science. - 1972. - Т. 29. - № 2. - С. 644-652.
7. Bakhtizin R.Z. Autocorrelation function of 1/f current fluctuations in
vacuum microelectronics devices / Amirkhanov R.N., Ghots S.S., Bakhtizin R.Z. // Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. - 1996. - Т. 14. - № 3. - С. 2135-2137.
8. Bakhtizin R.Z. Effect of nanocrystalline structure on work function of
tungsten / Yumaguzin Yu.M., Bakhtizin R.Z., Mulyukov R.R. // 2006 IEEE
International Vacuum Electronics Conference held jointly with 2006 IEEE
International Vacuum Electron Sources, IVEC/IVESC 2006 sponsors: IEEE
Electron Devices Society. Monterey, CA, - 2006. - С. 203.
9. Бахтизин Р.З. Оценка микроструктуры поверхности нового
дентального иплантанта из нанотитана в сравнении с известными / Хасанова Л.Р., Бахтизин Р.З. // Уральский медицинский журнал. - 2009. - № 5. - С. 74-76.
10. Bakhtizin R.Z. Statistical model of semiconductor field emitter with
atomically clean surface / Ghots S.S., Bakhtizin R.Z., Glazer P.V. // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 1993. - Т. 3. - № 2. - С. 45-48.
Показать
Дата регистрации:
07.02.2018 13:37:28
Бахтизин Рауф Загидович является автором 4 публикаций в журнале Бутлеровские сообщения:
